Memoria RAM Kingston ValueRAM 4GB/ DDR4/ 3200MHz/ 1.2V/ CL22/ SODIMM
EAN: 740617296105 | P/N: KVR32S22S6/4 | Cod. Artículo: KIN-4GB KVR32S22S6 4
Memoria ram kingston valueram 4gb/ ddr4/ 3200mhz/ 1.2v/ cl22/ sodimm Cantidad:1 ;Formato Memoria:SODIMM;Latencia CAS:CL22;Memoria:4 GB RAM;Tipo de Memoria:Memoria DDR4;Velocidad:3200 Mhz;Voltaje:1.2 V;
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Cantidad:1 ;Formato Memoria:SODIMM;Latencia CAS:CL22;Memoria:4 GB RAM;Tipo de Memoria:Memoria DDR4;Velocidad:3200 Mhz;Voltaje:1.2 V;
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Memoria RAM Kingston ValueRAM 4GB
Este documento describe el KVR32S22S6/4 de ValueRAM como un módulo de memoria DDR4-3200 CL22 SDRAM (Synchronous DRAM) de 512M x 64-bit (4GB), 1Rx16, basado en cuatro componentes FBGA de 512M x 16-bit. El SPD está programado según la latencia estándar JEDEC DDR4-3200 de 22-22-22 a 1.2V. Este SODIMM de 260 pines utiliza contactos de oro.
Características:
- Fuente de alimentación: VDD = 1.2V Típico
- VDDQ = 1.2V Típico
- VPP = 2.5V Típico
- VDDSPD = 2.2V a 3.6V
- Terminación en chip dinámica y nominal (ODT) para datos, señales de estrobo y máscara
- Autorefresco de baja potencia (LPASR)
- Inversión de bus de datos (DBI) para bus de datos
- Generación y calibración de VREFDQ en chip
- Single-rank
- EEPROM de detección de presencia en serie (SPD) a bordo
- 8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada uno
- Opción de ráfaga fija (BC) de 4 y longitud de ráfaga (BL) de 8 a través del conjunto de registros de modo (MRS)
- Selección de BC4 o BL8 sobre la marcha (OTF)
- Topología fly-by
- Comando de control y bus de dirección terminados
- PCB: Altura 1.18” (30.00mm)
- Cumple con RoHS y libre de halógenos
Especificaciones
- Ciclos de Latencia (CL): 22 ciclos
- Tiempo de Ciclo de Fila (tRCmin): 45.7ns (mínimo)
- Tiempo de Comando Activo/Refresco (tRFCmin): 350ns (mínimo)
- Tiempo Activo de Fila (tRASmin): 32ns (mínimo)
- Clasificación UL: 94 V – 0
- Temperatura de Funcionamiento: 0°C a +85°C
- Temperatura de Almacenamiento: -55°C a +100°C
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