Samsung MZ-VAP1T0 1 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC

Name: Samsung MZ-VAP1T0 1 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC 8806095811673 | P/N: MZ-VAP1T0CW | Ref. Artículo: 1395952
Brand: Samsung
SKU: 8806095811673 | P/N: MZ-VAP1T0CW | Ref. Artículo: 1395952
Price: 176.44 EUR
Availability: InStock

EAN: 8806095811673 | P/N: MZ-VAP1T0CW | Ref. Artículo: 1395952

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Samsung MZ-VAP1T0. SDD, capacidad: 1 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 14700 MB/s, Velocidad de escritura: 13300 MB/s, Componente para: PC/Consola de videojuegos

Tamaño de la unidad SSD M.2	2280 (22 x 80 mm)
Factor de forma de disco SSD	M.2
SSD	1 TB
Interfaz	PCI Express 5.0
Tipo de memoria	V-NAND TLC
NVMe	Si

Especificaciones técnicas

– Tamaño de la unidad SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm)
– Factor de forma de disco SSD: M.2
– SSD: 1 TB
– Interfaz: PCI Express 5.0
– Tipo de memoria: V-NAND TLC
– NVMe: Si
– Componente para: PC/Consola de videojuegos
– Encriptación de hardware: Si
– Velocidad de lectura: 14700 MB/s
– Velocidad de escritura: 13300 MB/s
– Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
– Lectura aleatoria (4KB): 1850000 IOPS
– Escritura aleatoria (4KB): 2600000 IOPS
– Tiempo medio entre fallos: 1500000 h
– Versión NVMe: 2.0
– Soporte S.M.A.R.T.: Si
– Soporte TRIM: Si
– Ancho: 80,2 mm
– Profundidad: 8,88 mm
– Altura: 25 mm
– Peso: 30 g
– Voltaje de operación: 3,3 V
– Average power consumption (read): 7,6 W
– Average power consumption (write): 7,2 W
– Intervalo de temperatura operativa: 0 – 70 °C
– Golpes en funcionamiento: 1500 G
– Tipo de embalaje: Caja